[发明专利]具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法有效
| 申请号： | 201110126409.4 | 申请日： | 2011-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN102315149A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | G·戈丹 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有径向未对准补偿的分子粘附结合方法。一种通过分子粘附将第一晶片(100)结合到第二晶片(200)上的方法，所述晶片之间具有初始径向未对准，所述方法至少包括一个使所述两个晶片(100，200)接触从而启动所述两个晶片之间的结合波的传播的步骤。根据本发明，在所述接触步骤期间，根据所述初始径向未对准在所述两个晶片中的至少一个上施加预定结合曲率(KB)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 径向 对准 补偿 分子 粘附 结合 方法 | ||
【主权项】：
一种通过分子粘附将第一晶片(100)结合到第二晶片(200)上的方法，所述晶片之间具有初始径向未对准(DR)，所述方法至少包括接触步骤，使所述两个晶片(100，200)接触从而启动所述两个晶片之间的结合波的传播，其特征在于在所述接触步骤期间，根据所述初始径向未对准(DR)在所述两个晶片中的至少一个上施加预定结合曲率(KB)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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