[发明专利]半导体结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层上设置电介质材料层，并在该电介质材料层中限定开口；在第一半导体层上，经由开口，外延生长第二半导体层，第二半导体层填充开口且覆盖电介质材料层，其中第二半导体层的材料与第一半导体层的材料不同；以及在第二半导体层中形成隔离区，以限定至少一个选择性SOI区，选择性SOI区包括SOI部分以及体接触部分，体接触部分夹于SOI部分之间，SOI部分位于电介质材料层上，体接触部分位于第一半导体层上。根据本发明，提供了一种异质选择性SOI结构，既能够减小异质外延时的生长缺陷，又能够提供选择性SOI配置的优点。

主权项

一种制作半导体结构的方法，包括：提供第一半导体层；在所述第一半导体层上设置电介质材料层，并在该电介质材料层中限定开口；在所述第一半导体层上，经由所述开口，外延生长第二半导体层，所述第二半导体层填充所述开口且覆盖所述电介质材料层，其中所述第二半导体层的材料与所述第一半导体层的材料不同；以及在所述第二半导体层中形成隔离区，以限定至少一个选择性SOI区，所述选择性SOI区包括SOI部分以及体接触部分，所述体接触部分夹于所述SOI部分之间，所述SOI部分位于所述电介质材料层上，所述体接触部分位于所述第一半导体层上。