[发明专利]半导体器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110127273.9 申请日: 2011-05-17
公开(公告)号: CN102254835A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 胡俊伟;李在学;谭琳;瞿文彬;冯玉锋 申请(专利权)人: 新科金朋有限公司;星科金朋(上海)有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元;王忠忠
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明涉及半导体器件及其制造方法。一种具有倒装芯片半导体管芯的半导体器件,所述倒装芯片半导体管芯利用多个第一凸块被安装到第一衬底。在倒装芯片半导体管芯到第一衬底的置放中心的位置中在第一衬底中形成一个开口或多个开口。多个半导体管芯被安装到第二衬底。半导体管芯与结合线电连接。密封剂在所述多个半导体管芯和第二衬底上。第二衬底利用多个第二凸块被安装到第一衬底。通过在倒装芯片半导体管芯和第一衬底之间的第一衬底中的开口分配底部填充剂材料。当底部填充剂材料接近或到达倒装芯片半导体管芯的周边时停止底部填充剂材料的分配以减少底部填充剂材料的渗出。底部填充剂材料被固化。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括:提供倒装芯片半导体管芯和第一衬底;在第一衬底中在倒装芯片半导体管芯到第一衬底的置放中心的位置中形成开口;在第一衬底中的开口上将倒装芯片半导体管芯安装到第一衬底;将多个半导体管芯安装到第二衬底;在所述多个半导体管芯和第二衬底上沉积密封剂;将第二衬底安装到第一衬底;通过倒装芯片半导体管芯和第一衬底之间的第一衬底中的开口分配底部填充剂材料;以及当底部填充剂材料接近或到达倒装芯片半导体管芯的周边时停止底部填充剂材料的分配以减少底部填充剂材料的渗出。
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