[发明专利]光子晶体分束器无效
| 申请号： | 201110128181.2 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102789023A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 王曦;杨志峰;武爱民;甘甫烷;林旭林;李浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/136 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光子晶体分束器，利用SOI基二维平板空气孔光子晶体的自准直效应实现输入光信号的分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的空气孔区域以及将空气孔区域与外部光纤或其他器件相连的SOI条形波导。其中：空气孔区域中，刻蚀形成的空气孔呈正方晶格排列在SOI顶层硅上，其深度即为SOI顶层硅的厚度，SOI条形波导即为分束器的输入波导，其距离空气孔区域与之平行的两边界均有一距离。该分束器分束区的长度可以控制在10μm以内，这使总体器件的长度极大缩短，结构更为紧凑；同时，其具有较大的制备容差和更灵活的设计，能够更为广泛的用在未来的光子芯片中。 | ||
| 搜索关键词： | 光子 晶体 分束器 | ||
【主权项】：
一种光子晶体分束器(200)，其特征在于：该光子晶体分束器包括SOI衬底(100)、在SOI衬底的顶层硅(103)上刻蚀形成的呈正方晶格排列的空气孔区域(220)以及将该空气孔区域(220)与外部器件连接的SOI条形波导(210)；所述SOI衬底(100)包括衬底硅层(101)、位于衬底硅层(101)上的二氧化硅埋层(102)以及位于该二氧化硅埋层(102)上的顶层硅(103)；所述空气孔区域的空气孔(221)的深度(h)等于SOI顶层硅(103)的厚度(d)。
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