[发明专利]发光二极管阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 201110128988.6 | 申请日： | 2011-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102790045A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 洪梓健;沈佳辉 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光二极管阵列，其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极管，所述多个发光二极管之间电连接。所述每个发光二极管包括依次形成于所述基板上的连接层、n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层。所述连接层能够被减性溶液蚀刻，所述n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓，且该底面有裸露的粗化表面。本发明还涉及一种发光二极管阵列的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管阵列，其包括基板及形成于基板一侧的多个发光二极管，所述多个发光二极管之间电连接，所述每个发光二极管包括依次形成于所述基板上的连接层、n型氮化镓层、发光层及p型氮化镓层，其特征在于，所述连接层能够被减性溶液蚀刻，所述n型氮化镓层面向连接层的底面为反向极化氮化镓，且该底面有裸露的粗化表面。
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