[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110129731.2 | 申请日： | 2011-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN102355217A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 广田尊则 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，其可以降低向耦合VCO中所包括的螺旋电感器和MOS变容器的布线添加的寄生电感器和/或寄生电容。LC振荡回路VCO包括第一螺旋电感器和第二螺旋电感器以及第一MOS变容器和第二MOS变容器。当垂直于半导体衬底观看时，第一MOS变容器和第二MOS变容器设置在第一螺旋电感器和第二螺旋电感器之间的区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；以及在所述半导体衬底之上形成的LC振荡回路VCO，其中所述LC振荡回路VCO包括：第一螺旋电感器和第二螺旋电感器；以及第一MOS变容器和第二MOS变容器，并且其中，当垂直于所述半导体衬底观看时，所述第一MOS变容器和所述第二MOS变容器设置在所述第一螺旋电感器和所述第二螺旋电感器之间的区域中。
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