[发明专利]一种贵金属亚微米球壳阵列的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110130059.9 申请日: 2011-05-19
公开(公告)号: CN102212790A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 李东升;程培红;杨德仁 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/58;C23C14/20
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种贵金属亚微米球壳阵列的制备方法,首先在石英等基底自组装不同直径的亚微米聚苯乙烯微球阵列,再利用直流磁控溅射在聚苯乙烯微球阵列上沉积贵金属层,最后通过在真空腔内热处理去除聚苯乙烯微球模板。本发明方法的生长过程简单可控,制备的球壳阵列尺寸均一,排列整齐,通过调节贵金属层的厚度,可得到表面等离激元共振峰位不同的球壳阵列,可用于生物传感、光子晶体、表面增强拉曼光谱和发光光谱等领域。
搜索关键词: 一种 贵金属 微米 阵列 制备 方法
【主权项】:
一种贵金属亚微米球壳阵列的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)将直径为100‑1000nm的聚苯乙烯微球分散于水和酒精的混合液中,配制成聚苯乙烯微球的浓度为0.54‑1.89mg/ml的混合溶液;将所述的混合溶液滴于石英、石墨或硅片基底上并晾干,得到有聚苯乙烯微球阵列的基底;(2)将步骤(1)得到的有聚苯乙烯微球阵列的基底放入直流反应磁控溅射装置的反应室中,以贵金属为靶材,在真空中通过磁控溅射沉积贵金属层;(3)将步骤(2)得到的沉积贵金属层后的基板加热到200‑300℃,保温10‑60分钟,以去除聚苯乙烯微球模板,在基板上得到贵金属亚微米球壳阵列。
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