[发明专利]半导体装置及其驱动方法有效
| 申请号： | 201110130122.9 | 申请日： | 2004-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102360538A | 公开（公告）日： | 2012-02-22 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G09G3/32 | 分类号： | G09G3/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 俞华梁;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在电流输入型像素中很快地进行信号电流的写入动作的半导体装置。在输入信号电流之前，流过较大电流，进行预充电动作。然后，输入信号电流，进行设定动作。由于在设定动作之前进行预充电动作，故能够很快达到规定的电位。该规定的电位和设定动作完了时的电位大致相等。因此，可以很快地进行设定动作，并可以很快地进行信号电流的写入动作。再有，通过使用2个晶体管，从而在预充电动作时，加大栅极宽度W，或者减小栅极长度L。在设定动作时，减小栅极宽度W，或者加大栅极长度L。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：负载；第一电流源；第二电流源；晶体管；电容器；电连接在所述负载与所述晶体管的源极和漏极中的一个之间的第一开关；电连接在所述第一电流源与所述晶体管的源极和漏极中的所述一个之间的第二开关；以及电连接在所述第二电流源与所述晶体管的源极和漏极中的所述一个之间的第三开关，其中所述电容器电连接在所述晶体管的栅极与所述晶体管的源极和漏极中的所述一个之间。
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