[发明专利]具有减小的触发电压的堆叠式静电放电保护电路

摘要

本发明提供一种堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管(GCNFET)静电放电(ESD)保护电路，其涉及含若干个级的堆叠。每一级具有一NFET，所述NFET的主体耦合到其源极。电阻器耦合在栅极与源极之间。提供从电源电压节点到每一NFET的所述栅极的电流路径，使得在ESD事件期间，电流将流过所述级的所述电阻器并引起触发。在一个实施例中，通过另一级与所述电源电压节点隔离的NFET级具有相关联的电容结构。在所述ESD事件的瞬态电压条件期间，电流从所述电源电压节点流经所述电容结构并到达所述栅极，且接着流经所述电阻器，从而起始触发。所述GCNFET ESD保护电路具有比其保持电压高不到百分之二十的触发电压。

主权项

一种方法，其包含：提供堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管静电放电保护电路，其中所述堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管静电放电保护电路具有触发电压和保持电压，其中所述触发电压比所述保持电压高不到百分之二十，且其中所述保持电压大于十五伏。