[发明专利]一种3D微混合微流控芯片的制作方法有效

专利信息
申请号: 201110131510.9 申请日: 2011-05-20
公开(公告)号: CN102240534A 公开(公告)日: 2011-11-16
发明(设计)人: 江龙;韩建华;张建平;李兴长 申请(专利权)人: 中国科学院化学研究所
主分类号: B01J19/00 分类号: B01J19/00;B01L3/00;G01N21/25
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种3D微混合微流控芯片的制作方法。所述方法包括如下步骤:(1)将所述3D微混合微流控芯片的微通道图形通过激光照排制成掩膜;(2)将负性光刻胶涂覆在载玻片上,将所述掩膜覆盖在所述负性光刻胶上;将覆盖有所述负性光刻胶和掩膜的载玻片在紫外光源下进行曝光并经显影后得到负性光刻胶阳膜;(3)向所述负性光刻胶阳膜上浇铸聚二甲基硅氧烷主剂和固化剂的混合浆体,固化后揭去所述负性光刻胶阳膜得到聚二甲基硅氧烷芯片A;(4)按照步骤(1)至步骤(3)制作聚二甲基硅氧烷芯片B;(5)将所述聚二甲基硅氧烷芯片A与聚二甲基硅氧烷芯片B紧密贴合后进行键合即得所述3D微混合微流控芯片。所述方法操作简单,成本低廉,制作周期短,重现性好;非常适宜于加工数十微米的微观结构。
搜索关键词: 一种 混合 微流控 芯片 制作方法
【主权项】:
一种3D微混合微流控芯片的制作方法,包括如下步骤:(1)将所述3D微混合微流控芯片的微通道图形通过激光照排制成掩膜;(2)将负性光刻胶涂覆在载玻片上,将所述掩膜覆盖在所述负性光刻胶上;将覆盖有所述负性光刻胶和掩膜的载玻片在紫外光源下进行曝光并经显影后得到负性光刻胶阳膜;(3)向所述负性光刻胶阳膜上浇铸聚二甲基硅氧烷主剂和固化剂的混合浆体,固化后揭去所述负性光刻胶阳膜得到聚二甲基硅氧烷芯片A;(4)按照上述步骤(1)至步骤(3)制作聚二甲基硅氧烷芯片B;(5)将所述聚二甲基硅氧烷芯片A与聚二甲基硅氧烷芯片B贴合后进行键合即得所述3D微混合微流控芯片,所述聚二甲基硅氧烷芯片A中的微通道与所述聚二甲基硅氧烷芯片B中的微通道为错列对称。
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