[发明专利]一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法

摘要

本发明涉及一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法。所述方法包括以下步骤：将金属探针的顶端针尖削平形成表面平整的平台；在金属探针的顶端平台上制备两端半导体器件；在形成两端半导体器件的顶端淀积一层保护层；以所述保护层为掩膜，对两端半导体器件进行减薄形成薄片；对两端半导体器件的薄片进行分割，形成多个独立的TEM测试样品。本发明解决了TEM样品与原位电学测试TEM样品杆的电学连接问题，避免了常规FIB制备TEM样品所需的样品提取转移到Cu网的步骤，减小了样品制备的难度，提高了样品制备的成功率，大大降低了样品的制备成本。

主权项

一种用于原位电学测试的透射电镜样品的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：步骤一、采用FIB刻蚀工艺，将金属探针的顶端针尖削平形成表面平整的平台，作为两端半导体器件的制备衬底；步骤二、采用半导体薄膜制备工艺，在所述金属探针的顶端平台上制备两端半导体器件；步骤三、采用FIB电子束沉积工艺，在所述形成两端半导体器件的顶端淀积一层保护层；步骤四、采用FIB离子束刻蚀工艺，以所述保护层为掩膜，对所述两端半导体器件进行减薄，形成薄片；步骤五、采用FIB离子束刻蚀工艺，对所述两端半导体器件的薄片进行分割，形成多个独立的TEM测试样品。