[发明专利]具有二阶段位线预充电的存储装置、偏压电路及感测方法有效

专利信息
申请号: 201110132607.1 申请日: 2011-05-17
公开(公告)号: CN102789802A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 林永丰 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C7/12 分类号: G11C7/12;G11C5/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种具有二阶段位线预充电的存储装置、针对存储装置中数据线的偏压电路及感测存储装置中数据的方法。其中,存储装置包含具有多个行和列的存储单元阵列。多条数据线与该阵列的行耦接,及多条字线与该阵列的列耦接。制压电路,与该多条数据线中的各自数据线耦接,且适合防止在该各自数据线上的感测节点超过一目标值。一偏压电路,与多条位线上的制压晶体管耦接,且安排成在包括至少两阶段的一预充电区间内施加偏压电压以防止超过在位线上的一目标值。
搜索关键词: 具有 阶段 位线预 充电 存储 装置 偏压 电路 方法
【主权项】:
一种存储装置,包含:一存储单元阵列,包括多个行及列;多条数据线与该阵列的行耦接;多条字线与该阵列的列耦接;预充电电路,于一预充电区间中将该多条数据线的一条数据线预充电,该预充电区间具有一第一阶段及一第二阶段;制压电路,与该多条数据线中的该条数据线耦接;一偏压电路,其提供一偏压电压以在该预充电区间中的该第一阶段使用一第一电压电平开启该制压电路,且在该预充电区间中的该第二阶段使用一第二电压电平开启该制压电路,其中该第二电压电平大于该第一电压电平;以及感测放大器,与该条数据线耦接。
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