[发明专利]一种红外透明导电薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201110133106.5 | 申请日: | 2011-05-20 |
公开(公告)号: | CN102280163A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 冯丽萍;刘正堂;王印权 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 慕安荣 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种红外透明导电薄膜及其制备方法,在蓝宝石试样的SiO2增透薄膜上或者蓝宝石表面覆盖一层厚度为20~30nm,周期为500~700μm,线宽为2.0~4.0μm的Au网栅薄膜,并通过涂光刻胶、前烘、曝光、显影、后烘、沉积Au薄膜和去光刻胶,形成红外透明导电薄膜。由于Au网栅薄膜的周期远大于红外光的波长,故Au网栅薄膜对红外光学性能影响不大。同时又由于Au网栅薄膜的周期远小于电磁波的波长,所以Au网栅薄膜具有良好的电磁屏蔽功能。因而,Au网栅薄膜可作为蓝宝石的红外透明导电薄膜。结合镀有的SiO2红外增透薄膜,可实现同时有效地提高蓝宝石衬底的红外透过率和电磁屏蔽效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 红外 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种红外透明导电薄膜,蓝宝石衬底的单面或双面镀上SiO2增透薄膜,形成蓝宝石试样;其特征在于:在蓝宝石试样的SiO2增透薄膜上或者蓝宝石表面覆盖一层Au网栅薄膜,形成了红外透明导电薄膜;Au网栅薄膜的厚度为20~30nm,Au网栅薄膜的周期为500~700μm,Au网栅薄膜的线宽为2.0~4.0μm。
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