[发明专利]一种制作U型栅脚T型栅结构的方法有效
| 申请号： | 201110133545.6 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102201334A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孔欣;魏珂;刘新宇;黄俊;刘果果 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiNx钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构；再刻蚀AlGaN势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构。利用本发明，能够有效平滑T型栅栅脚近漏端的电场分布并降低峰值电场强度从而提高器件的击穿电压，同时对短沟道效应也能起到一定的抑制作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 型栅脚 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，其特征在于，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiNx钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiNx钝化层形成U型栅脚结构；再刻蚀AlGaN势垒层，并通过双层胶二次曝光得到栅帽；以及经过蒸发、剥离形成U型栅脚T型栅结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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