[发明专利]制作均匀的细微图案等离子体刻蚀方法无效
| 申请号： | 201110133611.X | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102412137A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李全波 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/311;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作均匀的微细图案等离子体刻蚀方法，其中，在进行半导体裁剪工艺的过程中，步骤A：使用第一气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；步骤B：进行硬掩模层的固化工艺，以保持图形稳定，不会变形；步骤C：使用第二气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；步骤D：使用第三气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；所述第一气体、所述第二气体、所述第三气体分别具有不同的微负载效应，以减少密集区和空旷区特征尺寸之间的差值。本发明通过采用具有不同的微负载效应的气体进行多次裁剪，并在裁剪的步骤中增加固化的工艺，保证了图案的稳定性，使密集区和空旷区的特征尺寸的差值最小化，从而实现均匀的超精细结构。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 均匀 细微 图案 等离子体 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种制作均匀的微细图案等离子体刻蚀方法，其特征在于，在进行半导体裁剪工艺的过程中，步骤A：使用第一气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；步骤B：进行硬掩模层的固化工艺，以保持图形稳定，不会变形；步骤C：使用第二气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；步骤D：使用第三气体作为等离子体源进行硬掩模层的裁剪；所述第一气体、所述第二气体、所述第三气体分别具有不同的微负载效应，以减少密集区和空旷区特征尺寸之间的差值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
