[发明专利]发光薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201110133686.8 | 申请日： | 2011-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102796523A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;陈吉星;钟铁涛 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/79 | 分类号： | C09K11/79;H01L33/00;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光薄膜以及其制备方法和应用。该发光薄膜所述发光薄膜的分子表达式为Ba3MgSi2O8:Fe3+，Ce4+，所述Fe3+的摩尔百分含量为0.004％～0.063％，所述Ce4+的摩尔百分含量为0.006％～0.047％。本发明发光薄膜以Ba3MgSi2O8为基质，Fe3+、Ce4+掺杂在Ba3MgSi2O8为基质中，并共同作为激活元素和构成本发明发光薄膜的发光中心，有效的提高了该发光薄膜发光强度和发光效率。发光薄膜制备方法采用烧结的方法制备溅射靶材，并利用磁控溅射的方式制备而成，有效的提高了该发光薄膜的结构稳定性能，因而使得该发光薄膜的发光性能稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种发光薄膜，所述发光薄膜的分子表达式为Ba3MgSi2O8:Fe3+，Ce4+，所述Fe3+的摩尔百分含量为0.004％～0.063％，所述Ce4+的摩尔百分含量为0.006％～0.047％。
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