[发明专利]一种厚规格低峰值的电解铜箔的制备方法无效

专利信息
申请号: 201110134065.1 申请日: 2011-05-23
公开(公告)号: CN102797020A 公开(公告)日: 2012-11-28
发明(设计)人: 黄文荣;郭伟;吴伟安 申请(专利权)人: 建滔(连州)铜箔有限公司
主分类号: C25D1/04 分类号: C25D1/04;C25D3/38
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 李新林
地址: 513400 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种厚规格低峰值的电解铜箔的制备方法,采用高纯度电解铜(铜含量≥99.95%)和硫酸(硫酸含量≥98.0%)作为原材料,并在加热条件下生成电解液,使电解液中铜含量70~100g/L,硫酸含量110~160g/L,氯离子含量2~5mg/L,温度45~65℃,并向电解液中添加添加剂硫脲,且添加剂流量为200~1000mL/min,最后将电解液流量控制在45~60m3/h流入电解槽,用电流密度6000~10000A/m2条件下进行电沉积,生成厚规格低峰值电解铜箔。本发明所选的原材料及其合理浓度的电解液、添加剂,在高电流密度条件下进行电沉积,生成厚规格低峰值铜箔,提高了生产效率。
搜索关键词: 一种 规格 峰值 电解 铜箔 制备 方法
【主权项】:
一种厚规格低峰值的电解铜箔的制备方法,其特征在于所述的制备采用铜含量≥99.95%的高纯度无氧铜杆和硫酸含量≥92.0%的电池硫酸作为原材料,并在加热条件下生成电解液;电解液中铜含量70~100g/L,硫酸含量110~160g/L,氯离子含量2~5mg/L,温度45~65℃的参数配合,并向电解液中添加合适的添加剂,使电解液流量为45~60m3/h,该电解液添加的添加剂为硫脲,添加剂流量为200mL/min~1000mL/min。
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