[发明专利]一种硅片料的清洗方法无效

专利信息
申请号: 201110134347.1 申请日: 2011-05-20
公开(公告)号: CN102205329A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 牛小群;张期云;余新明 申请(专利权)人: 浙江星宇能源科技有限公司
主分类号: B08B3/08 分类号: B08B3/08
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 33201 代理人: 舒良
地址: 324300 浙江省开化*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种硅片料的清洗方法,该方法将硅片料依次经过下列清洗工序:A:采用氢氟酸浸泡一定时间,之后用水冲洗干净;B:采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间;C:采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗,之后用水冲洗干净;D:采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间;E:采用盐酸和离子水混合液进行中和。采用本发明,根据实验结果表明,硅片料的得率在97%以上,与原清洗方法得率在90~92%相比,提高得率至少在5%以上。同时,也能防止坩埚腐蚀穿透现象,加强了安全生产。
搜索关键词: 一种 硅片 清洗 方法
【主权项】:
一种硅片料的清洗方法,其特征在于将硅片料依次经过下列清洗工序:A:采用氢氟酸浸泡一定时间,之后用水冲洗干净;B:采用硝酸与盐酸混合制成的王水浸泡一定时间;C:采用氢氟酸与硝酸的混合液进行清洗,之后用水冲洗干净;D:采用氢氧化钠溶液漂洗一定时间;E:采用盐酸和离子水混合液进行中和。
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