[发明专利]一种相变存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201110135885.2 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN102227015A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;宋三年;宋志棠;刘波;饶峰;吴良才 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种相变存储材料及其制备方法，其中所述相变存储材料为镓-锑-硒的化合物。化学组分为GaxSbySez，其中4 | ||
| 搜索关键词： | 一种 相变 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种相变存储材料，其特征在于，所述相变存储材料为镓‑锑‑硒的化合物。
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