[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201110135949.9 | 申请日： | 2011-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102254947A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 佐藤嘉展;铃木聪史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一杂质区域，其形成于具有第一导电型的半导体层的表面部，具有第二导电型；主体区域，其以与第一杂质区域接触的方式相邻地形成，具有第一导电型；第二杂质区域，其与主体区域分离而形成于第一杂质区域并具有第二导电型，其深度比第一杂质区域小；源极区域，其形成于主体区域的表面部，具有第二导电型；漏极区域，其形成于第二杂质区域的表面部，具有第二导电型；和隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极。在半导体装置的优选实施方式中，第二杂质区域具有比第一杂质区域高的杂质浓度，并且第一杂质区域的深度小于1μm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：具有第一导电型的半导体层；第一杂质区域，其形成于所述半导体层的表面部，具有第二导电型；主体区域，其以与所述第一杂质区域接触的方式相邻地形成，具有第一导电型；第二杂质区域，其与所述主体区域分离而形成于所述第一杂质区域并具有第二导电型，其深度比所述第一杂质区域小；源极区域，其形成于所述主体区域的表面部，具有第二导电型；漏极区域，其形成于所述第二杂质区域的表面部，具有第二导电型；和栅极电极，其在从所述源极区域的靠近所述漏极区域一侧的端部之上起至所述第一杂质区域之上的区域隔着栅极绝缘膜形成。
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