[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成下层互连，该下层互连包括第一阻挡金属层、互连金属层和第二阻挡金属层，并且其上形成层间电介质。在具有光刻胶的情况下进行蚀刻，该光刻胶用于限定第一通路的开口和具有比第一通路的开口大的底面积的第二通路的开口，从而在层间电介质中形成第一通孔和第二通孔。由于第二通孔具有比第二通孔大的直径，第二通孔先于第一通孔被打开，并且在第二通孔的底部首先暴露出下层互连。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底；提供在所述半导体衬底上的金属层；提供在所述金属层上的绝缘层；提供在所述绝缘层中与所述金属层连接的第一通路，其用于将所述金属层电连接至其它导体；以及提供在所述绝缘层中与所述金属层连接的第二通路，该第二通路具有比所述第一通路大的直径，其中所述金属层由铝互连构成，所述铝互连包括由钛层构成的阻挡金属层，从而使得所述第一通路和所述第二通路通过所述铝互连和所述阻挡金属层电连接，并且所述金属层位于所述第一通路和所述第二通路之下，其中所述其它导体包括上互连层，所述上互连层包括与所述绝缘层接触的第三阻挡金属层、与所述第三阻挡金属层接触的第二互连金属层和与所述第二互连金属层接触的第四阻挡金属层，所述上层互连层形成为与所述第一通路接触而不与所述第二通路接触，从而所述金属层和所述上层互连层通过所述第一通路电连接而不通过所述第二通路电连接，并且其中所述第二通路在所述第一通路和所述第二通路连接到所述金属层的水平面处具有比所述第一通路大的直径。