[发明专利]金紫豆日光温室种植方法无效
申请号: | 201110136831.8 | 申请日: | 2011-05-25 |
公开(公告)号: | CN102273372A | 公开(公告)日: | 2011-12-14 |
发明(设计)人: | 孙剑 | 申请(专利权)人: | 成都旌湖农业开发有限公司 |
主分类号: | A01G1/00 | 分类号: | A01G1/00;A01C1/00;A01G7/06;A01G9/20 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 谭新民 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了金紫豆日光温室种植方法,该方法利用催芽床催芽、地热床育苗、滴灌带滴灌、覆盖黑色地膜除草、并适时移栽至大棚内利用日光温室升温等现代设施农业的方式栽培金紫豆,有效地节约有限的水资源,有效地节约劳动力,有效地提早金紫豆的上市时间。 | ||
搜索关键词: | 金紫豆 日光温室 种植 方法 | ||
【主权项】:
金紫豆日光温室种植方法,其特征在于,具体步骤如下:(1)选种催芽:将选育好的种子,用30℃,0.1%多菌灵温水浸泡4个小时,阴晾半个小时;然后在催芽床上催芽,自动控制温度在23~25℃;(2)育苗:取基质营养土,喷水、拌匀后放入育苗盘中;把所述步骤(1)中的已出芽种子倒置播入育苗盘中,再盖上2cm厚的营养土,压平,放入地热温床,然后盖上地膜保温、保湿,白天温度控制在22~28℃,夜晚温度控制在15~20℃;(3)移栽前土地处理:建设大棚,在大棚内清理前季作物残留物,并进行耕地,翻耕后晒土2‑3日;施底肥,每亩施用有机肥1000kg,施复合肥50公斤,撒施后再翻耕耙平、整细土壤,使肥料落入底土层;起厢,使厢面宽116cm,沟宽40cm,厢中铺设片式滴灌带,覆盖黑色地膜; (4)移栽和移栽后管理:金紫豆小苗有2叶1心时移栽,单行单株并在地膜开孔后立即栽培,株距60cm;金紫豆苗长至30‑50厘米时,用塑钢绳引蔓上架,架高2米;主蔓长至45‑55厘米时,对主蔓打顶摘心,促使子蔓和花絮枝发育;子蔓长至45‑55厘米时,对子蔓摘心,再次促使分枝;孙蔓有45‑55厘米时,对孙蔓摘心,促发花絮枝;(5)田间管理:开花前,追肥水一次;当第一批豆荚能采收时,每亩追有机肥50公斤;之后,每采收1‑2次豆荚,追肥水1次。
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