[发明专利]一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法无效
申请号: | 201110137576.9 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102208477A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | 任慧志;赵颖;张晓丹;葛洪;王宗畔 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/075 | 分类号: | H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/20;H01L31/18 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,由玻璃衬底、透明导电膜、P1-I1-N1非晶硅电池、P2-I2-N2微晶硅电池、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层、ZnO层、Al层、EVA层和背板玻璃组成并依次组成叠层结构,其中以P1-I1-N1非晶硅电池作为顶电池,以P2-I2-N2微晶硅电池作为底电池,以ZnO和Al作为复合背电极。本发明的优点:存放在大气中的非晶硅顶电池在制备微晶硅底电池前,用H或Ar等离子体处理顶电池n层,可消除n层表面同大气中的氧气反应生成SiOx层;该制备工艺简单、易于控制、产品优良率高、电池转换效率高,可方便移植到现有的硅基薄膜电池生产线上,产品升级换代成本低,有利于推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 非晶硅 微晶硅叠层 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,其特征在于:由玻璃衬底、透明导电膜TCO、p型非晶硅窗口层P1、非晶硅本征层I1、n型非晶硅层N1、高电导率和高晶化率的n型微晶硅层N1+、p型微晶硅层P2、微晶硅本征层I2、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层N2、ZnO层、金属Al层、EVA层和背板玻璃层组成并依次组成叠层结构,其中以P1‑I1‑N1非晶硅电池作为叠层电池的顶电池,以P2‑I2‑N2微晶硅电池作为叠层电池的底电池,以ZnO和Al作为复合背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的