[发明专利]一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110137576.9 申请日: 2011-05-26
公开(公告)号: CN102208477A 公开(公告)日: 2011-10-05
发明(设计)人: 任慧志;赵颖;张晓丹;葛洪;王宗畔 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01L31/075 分类号: H01L31/075;H01L31/0352;H01L31/20;H01L31/18
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 侯力
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,由玻璃衬底、透明导电膜、P1-I1-N1非晶硅电池、P2-I2-N2微晶硅电池、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层、ZnO层、Al层、EVA层和背板玻璃组成并依次组成叠层结构,其中以P1-I1-N1非晶硅电池作为顶电池,以P2-I2-N2微晶硅电池作为底电池,以ZnO和Al作为复合背电极。本发明的优点:存放在大气中的非晶硅顶电池在制备微晶硅底电池前,用H或Ar等离子体处理顶电池n层,可消除n层表面同大气中的氧气反应生成SiOx层;该制备工艺简单、易于控制、产品优良率高、电池转换效率高,可方便移植到现有的硅基薄膜电池生产线上,产品升级换代成本低,有利于推广。
搜索关键词: 一种 非晶硅 微晶硅叠层 太阳电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,其特征在于:由玻璃衬底、透明导电膜TCO、p型非晶硅窗口层P1、非晶硅本征层I1、n型非晶硅层N1、高电导率和高晶化率的n型微晶硅层N1+、p型微晶硅层P2、微晶硅本征层I2、非晶硅/微晶硅过渡区靠近非晶硅区的n型层N2、ZnO层、金属Al层、EVA层和背板玻璃层组成并依次组成叠层结构,其中以P1‑I1‑N1非晶硅电池作为叠层电池的顶电池,以P2‑I2‑N2微晶硅电池作为叠层电池的底电池,以ZnO和Al作为复合背电极。
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