[发明专利]具有光传感器的摄像装置及其制造方法有效
申请号: | 201110138732.3 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102263116A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | 三原一郎;若林猛 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02B7/02;H04N5/225 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种光传感器(1),具有:位于半导体基板(2)的下表面的光电转换器件区域(3)以及连接焊盘(4),并且具有:在半导体基板2之下经由绝缘膜(5、7)而连接到连接焊盘(3)的配线(9),以及与该配线(9)相连的作为外部连接用电极的柱状电极(12)。结果,与在半导体基板(2)的上表面形成光电转换器件区域(3)以及与该光电转换器件区域(3)连接的连接焊盘(4)的情况相比,在半导体基板(2)不需要形成用于使连接焊盘(4)与配线(9)连接的贯通电极,从而能够减少工序数,并且能够在加工过程中不易受到制约。 | ||
搜索关键词: | 有光 传感器 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种摄像装置,其特征在于,具有:透镜单元,光从该透镜单元的一个面入射;以及光传感器,该光传感器具有:半导体基板,设置在所述透镜单元的另一面侧,从所述透镜单元出射的光从该半导体基板的一个面入射;以及光电转换器件区域及连接焊盘,设置在所述半导体基板的另一面侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的