[发明专利]一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法

摘要

本发明提供了一种空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，包括：隔离并淀积SiN；淀积SiO2；定义沟道区和大源漏区；将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO2硬掩膜上；淀积与Si有高刻蚀选择比的材料；定义Fin条；形成Fin和大源漏的硬掩膜；形成Si Fin条和大源漏；淀积SiN；刻蚀SiN，形成SiN侧墙；氧化，形成纳米线；去除氧化层，形成悬空纳米线；形成栅氧化层；淀积多晶硅；定义栅线条；将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；多晶硅和源漏注入；湿法腐蚀SiN；淀积SiO2，形成空气侧墙；退火激活杂质；完成器件制备。本发明的方法，与CMOS工艺流程相兼容，空气侧墙的引入能有效减小器件的寄生电容，提高器件瞬态响应特性，适用于高性能逻辑电路应用。

主权项

一种以空气为侧墙的围栅硅纳米线晶体管的制备方法，其特征在于，在SOI衬底上制备，包括如下步骤：1)隔离工艺；2)淀积SiO2、淀积SiN；3)光刻定义沟道区和大源漏区；4)通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到SiN和SiO2硬掩膜上；5)淀积与Si有高刻蚀选择比的材料A；6)光刻定义Fin条；7)通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到材料A上，形成Fin和大源漏的硬掩膜；8)以材料A和SiN为硬掩膜，刻蚀Si，形成Si Fin条和大源漏；9)淀积SiN；10)刻蚀SiN，形成SiN侧墙；11)氧化，形成纳米线；12)湿法去除氧化层，形成悬空纳米线；13)形成栅氧化层；14)淀积多晶硅；15)光刻定义栅线条；16)通过刻蚀将光刻胶上的图形转移到多晶硅上；17)注入多晶硅和源漏；18)湿法腐蚀SiN；19)淀积SiO2，形成空气侧墙；20)退火激活杂质；21)采用常规CMOS后端工艺完成后续流程，完成器件制备。