[发明专利]激光混强场装置无效
| 申请号： | 201110139168.7 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102251078A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴九汇;胡志平;张铁山 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C21D1/09 | 分类号： | C21D1/09;C22F3/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 激光混强场装置，包括内腔为球形结构的壳体，在壳体的球形内腔中镶嵌有若干个半导体激光器阵列，除半导体激光器陈列出射口处的壳体内壁上设置有一层耐高温全反射层，在各半导体激光器的出射口均设置有挡板，壳体的一侧开设有一面积为S1的开口，该开口上安装有内壁设置有耐高温全反射层的封闭门。本发明使入射激光经过多次反射能够产生强度均匀分布的激光场，这样无论零部件的结构简单还是复杂，零部件的不同部位都可以在激光混强场中受到均匀激光束的激光冲击，达到激光冲击强化的效果，解决了现有技术存在的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 混强场 装置 | ||
【主权项】：
激光混强场装置，其特征在于：包括内腔为球形结构的壳体(1)，在壳体(1)的球形内腔中镶嵌有若干个半导体激光器阵列(2、7、8)，除半导体激光器陈列(2)出射口处的壳体内壁上设置有一层耐高温全反射层(3)，在各半导体激光器阵列的出射口均设置有挡板(4、6、9)，壳体(1)的一侧开设有一面积为S1的开口(5)，该开口(5)上安装有内壁设置有耐高温全反射层的封闭门。
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