[发明专利]避免半导体制程菜单调试过程中出错的方法及系统有效
申请号: | 201110139608.9 | 申请日: | 2011-05-26 |
公开(公告)号: | CN102800564A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 李春龙;李俊峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种避免半导体制程菜单调试过程中出错的方法及系统,用于半导体生产设备的生产执行系统控制和调整半导体产品的薄膜生长制程,其中薄膜厚度标准值是D,步骤100,监测某一批次的产品薄膜厚度d及生长时间t;步骤200,判断薄膜厚度d是否在设定的正常值范围内 如果是的话,则所述半导体生产设备继续生产,否则进行步骤300;步骤300,计算薄膜厚度的偏离率Δd/D,其中Δd=d-D;如Δd/D≤P,根据公式Δt=t*Δd/D计算出生长时间的微调值Δt;如Δd/D>P,所述生产执行系统自动禁止并报警;步骤400,所述生产执行系统根据Δt调整下一批次产品的生长时间t并输出给所述半导体生产设备。本发明避免了手动操作带来的误差和滞后,提高了成品率。 | ||
搜索关键词: | 避免 半导体 菜单 调试 过程 出错 方法 系统 | ||
【主权项】:
一种避免半导体制程菜单调试过程中出错的方法,用于半导体生产设备的生产执行系统控制和调整半导体产品的薄膜生长制程,其中薄膜厚度标准值是D,其特征是:所述方法包括以下步骤:步骤100,监测某一批次的产品薄膜厚度d及生长时间t;步骤200,判断薄膜厚度d是否在设定的正常值范围内 如果是的话,则所述半导体生产设备继续生产,否则进行步骤300;步骤300,所述生产执行系统计算薄膜厚度的偏离率Δd/D,其中Δd=d‑D;如Δd/D≤P,所述生产执行系统根据公式Δt=t*Δd/D计算出生长时间的微调值Δt;如Δd/D>P,所述生产执行系统自动禁止并报警;步骤400,所述生产执行系统根据Δt的值调整下一批次产品的生长时间并输出给所述半导体生产设备以使产品薄膜厚度保持在正常值范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造