[发明专利]CVD设备和该CVD设备的控制方法有效
申请号: | 201110141318.8 | 申请日: | 2011-05-27 |
公开(公告)号: | CN102796993A | 公开(公告)日: | 2012-11-28 |
发明(设计)人: | 袁强 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/52 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提出一种CVD设备,包括:腔体,腔体形成腔室;设置在腔室顶部的电极板;呈水平放置的多个传动轮,传动轮设置在腔室之内;载板,载板放置在多个传动轮之上;第一升降机构,分别位于电极板的两端,用于支撑电极板,并控制电极板垂直移动;和控制器,与传动轮和所述第一升降机构相连,控制器用于控制多个传动轮的转动以及第一升降机构的升降,以将电极板和载板移出或者移入腔室。本发明还提出一种控制方法。本发明实施例的CVD设备具有电极板更换速度快、能耗低的优点。并且该CVD设备的控制方法具有控制简单、控制精度高的优点。 | ||
搜索关键词: | cvd 设备 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种CVD设备,其特征在于,包括:腔体,所述腔体形成腔室;设置在所述腔室顶部的电极板;呈水平放置的多个传动轮,所述多个传动轮设置在所述腔室之内;载板,所述载板放置在所述多个传动轮之上,所述传动轮转动以带动所述载板水平移动;第一升降机构,所述第一升降机构分别位于所述电极板的两端,所述第一升降机构用于支撑所述电极板,并通过升降改变所述电极板与所述载板间的垂直距离和控制器,所述控制器与所述多个传动轮和所述第一升降机构相连,所述控制器用于控制所述多个传动轮的转动以及所述第一升降机构的升降,以将所述电极板和所述载板移出或者移入所述腔室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的