[发明专利]异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构无效
| 申请号： | 201110141775.7 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102214694A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 宋建军;王冠宇;张鹤鸣;胡辉勇;宣荣喜;周春宇 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710071 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构，自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构；栅绝缘层；本征或者n-掺杂应变Si沟道层；本征或者n-掺杂组分渐变的应变Si1-xGex层；n掺杂弛豫Si1-yGey层；台阶式埋氧层；n掺杂衬底部分，由n+掺杂弛豫Si1-yGey层，n-掺杂弛豫Si1-yGey缓冲层、n掺杂驰豫SiGe渐变层以及n-掺杂单晶Si(100)衬底四部分构成。该器件结构简单，与常规体Si SOI工艺完全兼容，集成了“栅极工程”“应变工程”及“衬底工程”三者的优点，并易于CMOS结构工艺集成。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 堆叠 ssgoi pmosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种异质金属堆叠栅SSGOI pMOSFET器件结构，自上而下依次包括：异质金属堆叠栅结构；栅绝缘层；本征或者n‑掺杂应变Si沟道层；本征或者n‑掺杂组分渐变的应变Si1‑xGex层；n掺杂弛豫Si1‑yGey层；台阶式埋氧层；n掺杂衬底部分，由n+掺杂弛豫Si1‑yGey层，n‑掺杂弛豫Si1‑yGey缓冲层、n掺杂驰豫SiGe渐变层以及n‑掺杂单晶Si(100)衬底四部分构成。
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