[发明专利]半导体器件局部氧化终止环的制备方法有效
| 申请号： | 201110142012.4 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102208334A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 王颢 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/316 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件局部氧化终止环的制备方法，包括如下步骤：在硅衬底上的半导体器件的边缘区域形成垫氧化层和氮化硅层；刻蚀所述垫氧化层、所述氮化硅层和所述硅衬底，形成多个沟槽；将所述沟槽内的硅进行局部氧化，形成场氧化层；去除所述垫氧化层和所述氮化硅层。采用本发明的方法制备的半导体器件局部氧化终止环具有较高的击穿电压，能够很好的提高半导体器件的击穿性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 局部 氧化 终止 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件局部氧化终止环的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在硅衬底上的半导体器件的边缘区域形成垫氧化层和氮化硅层；刻蚀所述垫氧化层、所述氮化硅层和所述硅衬底，形成多个沟槽；将所述沟槽内的硅进行局部氧化，形成场氧化层；去除所述垫氧化层和所述氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
