[发明专利]一种碳纳米材料复合场致电子发射膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201110142206.4 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN102243973A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 郭太良;叶芸;洪春燕;林贺;肖晓晶 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01J29/02 | 分类号： | H01J29/02;H01J9/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350001 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳纳米材料复合场致电子发射膜，其包括碳纳米材料，含量为10%-70%；至少一种选自ZnO，SnO2、In2O3、PdO、Sb2O3、ZrC、HfC、WC、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4、ZrN、Al-AlN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒，含量为30%-90%。该碳纳米材料复合场致电子发射膜能够防止在印刷过程中由于栅极边沿毛刺而导致的栅阴短路现象。采用所述碳纳米材料复合场致电子发射膜形成的场致发射显示器，可以简化生产工艺，降低制造成本，提高工作可靠性，提高分辨率。本发明还公开一种碳纳米材料复合场致电子发射膜的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 材料 复合 致电 发射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米材料复合场致电子发射膜，其特征在于，包括：碳纳米材料，含量为10%‑70%；至少一种选自ZnO，SnO2、In2O3、PdO、Sb2O3、ZrC、HfC、WC、HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4、GdB4、ZrN和HfN的半导体金属氧化物纳米颗粒，含量为30%‑90%。
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