[发明专利]多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法

摘要

一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法，该多晶硅纳米线太阳能电池包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极，透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法，采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层，并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜，在常温常压下，制备大面积多晶硅纳米线，制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池，提高了太阳能电池光电转换效率。

主权项

一种多晶硅纳米线太阳能电池，其特征在于，包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极，其中：透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。