[发明专利]发光二极管元件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110144133.2 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102683529A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 汪信全;吴浩青 | 申请（专利权）人： | 奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/02;H01L33/42;H01L33/32;H01L33/00;H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管元件及其制造方法。此发光二极管元件的未掺杂半导体层与电流阻障结构依序设于基板上。发光二极管元件的发光结构分离地设于电流阻障结构上。每个发光结构包含第一电性半导体层、依序设于部分的第一电性半导体层上的有源层与第二电性半导体层、及分别位于第一电性半导体层的另一部分与第二电性半导体层上的第一电极与第二电极。第一电性半导体层与第二电性半导体层的电性不同。发光二极管元件的绝缘间隙壁分别位于相邻的发光结构之间。发光二极管元件的导线分别连接依序相邻的发光结构中之一者的第一电极与另一者的第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管元件，包含：基板；未掺杂半导体层，设于该基板上；电流阻障结构，设于该未掺杂半导体层上；多个发光结构，分离地设于该电流阻障结构上，其中每一该些发光结构包含：第一电性半导体层；有源层，位于部分的该第一电性半导体层上；第二电性半导体层，位于该有源层上，其中该第一电性半导体层与该第二电性半导体层的电性不同；以及第一电极与一第二电极，分别位于该第一电性半导体层的另一部分上与该第二电性半导体层上；多个绝缘间隙壁，分别位于相邻的该些发光结构之间；以及多个导线，分别连接依序相邻的该些发光结构中之一者的该第一电极与另一者的该第二电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司，未经奇力光电科技股份有限公司;佛山市奇明光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110144133.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
