[发明专利]闸介电层的制作方法有效
| 申请号： | 201110144271.0 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102760658A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 苏国辉;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种闸介电层的制作方法，其是先进行氧化处理，以于基底上形成氧化物层；然后，进行氮化处理，以于氧化物层上形成氮化物层；之后，在氮气与氧气的混合气体中进行回火处理，其特征在于回火处理的温度介于900℃至950℃之间，回火处理的压力介于5Torr至10Torr之间，且混合气体中氮气含量与氧气含量的比值介于0.5至0.8之间。本发明在制作闸介电层的过程中，于氮气和氧气的混合气体中进行回火处理，其可以有效地避免氮化物层中的氮扩散至外界而造成闸介电层的介电常数下降，且可以修补存在于氧化物层与基底之间的介面的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 闸介电层 制作方法 | ||
【主权项】：
一种闸介电层的制作方法，包括：进行一氧化处理，以于一基底上形成一氧化物层；进行一氮化处理，以于该氧化物层上形成一氮化物层；以及在氮气与氧气的一混合气体中进行一回火处理，其特征在于该回火处理的温度介于900℃至950℃之间，该回火处理的压力介于5Torr至10Torr之间，且该混合气体中氮气含量与氧气含量的比值介于0.5至0.8之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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