[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110144349.9 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102810562A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏飞;贾荣本;吴海平 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，器件包括，第一导电类型第一半导体层；形成于第一半导体层中的第二导电类型的阱区；设置于第一半导体层与阱区之间的第二半导体层；形成于阱区中的第一导电类型源区；设置于第一半导体层之上覆盖了部分源区和部分阱区的第一氧化层；设置于第一氧化层之上的多晶硅层；设置于多晶硅层上覆盖了部分源区和阱区的隔离层；覆盖于隔离层上与源区和阱区连接的第一金属层；形成于第一半导体层背面的第二导电类型第三半导体层，以及与第三半导体层连接的第二金属层；阱区的结弯曲处与第一半导体层接触；第二半导体层的掺杂浓度大于第一半导体层的掺杂浓度；本发明有效缓减了器件导通压降与耐压之间的矛盾。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括，第一导电类型第一半导体层；形成于第一半导体层中的第二导电类型第一阱区，以及形成于第一半导体层中与第一阱区隔开的第二导电类型第二阱区；设置于第一半导体层与阱区之间的第一导电类型第二半导体层；形成于第二导电类型第一阱区中的第一导电类型第一源区，以及形成于第二导电类型第二阱区中的第一导电类型第二源区；设置于第一半导体层之上覆盖了部分源区和部分阱区的第一氧化层；设置于第一氧化层之上的多晶硅层；设置于多晶硅层上覆盖了部分源区和阱区的隔离层；覆盖于隔离层上与源区和阱区连接的第一金属层；形成于第一导电类型第一半导体层背面的第二导电类型第三半导体层，以及与第三半导体层连接的第二金属层；所述的第二半导体层包括第一区域和第二区域，所述第二区域相对于第一区域靠近半导体基片中部；所述阱区的结弯曲处与所述的第一半导体层接触；所述的第二半导体层的掺杂浓度大于第一半导体层的掺杂浓度。
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