[发明专利]化学机械研磨方法无效
| 申请号： | 201110144388.9 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102737986A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 廖建茂;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械研磨方法，其适用于在化学机械研磨机中使用疏水性研磨垫对基材进行研磨，且此化学机械研磨方法包括下列步骤。首先，对基材进行第一化学机械研磨过程。接着，对疏水性研磨垫进行第一清洗过程。然后，对基材进行第二化学机械研磨过程，其特征在于第一化学机械研磨过程、第一清洗过程与第二化学机械研磨过程为依序进行。本发明可有效提升在使用疏水性研磨垫时的研磨效率。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，其适用于在一化学机械研磨机中使用一疏水性研磨垫对一基材进行研磨，且该化学机械研磨方法包括：对该基材进行一第一化学机械研磨过程；对该疏水性研磨垫进行一第一清洗过程；以及对该基材进行一第二化学机械研磨过程，其特征在于该第一化学机械研磨过程、该第一清洗过程与该第二化学机械研磨过程为依序进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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