[发明专利]IMP表面处理系统无效
| 申请号： | 201110144532.9 | 申请日： | 2011-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102808159A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 朱剑 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IMP表面处理系统，包括：靶极；反应室，内有气体；磁式电源模块，将靶极上的金属原子激发发送到反应室；无限射频模块，离子化上述金属原子，所述无限射频模块包括：射频电源，射频匹配器，射频线圈，射频电源通过射频匹配器将能量施加到射频线圈上，所述射频匹配器内设有0.01微法的电容。本发明的有益效果是：通过在射频匹配器内设置最优值的电容，提高了系统工作寿命和产品的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | imp 表面 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种IMP表面处理系统，包括：靶极；反应室，内有气体；磁式电源模块，将靶极上的金属原子激发发送到反应室；无限射频模块，离子化上述金属原子，所述无限射频模块包括：射频电源，射频匹配器，射频线圈，射频电源通过射频匹配器将能量施加到射频线圈上，其特征在于：所述射频匹配器内设有0.01微法的电容。
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