[发明专利]掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池及制备方法

摘要

本发明公开了一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池，该电池采用P型硅为基体，P型硅基体的前表面上有磷扩散层，磷扩散层上覆有SiNx或SiOx减反射钝化膜，减反射钝化膜上有正面Ag电极，正面Ag电极底面通过烧结烧穿钝化膜后与磷扩散层接触；P型硅基体的背面覆有p型掺杂SiCx钝化膜，p型掺杂SiCx钝化膜开槽并制作背面Al电极，背面Al电极在背面开槽处与P型硅基体形成接触。本发明还公开了上述电池的制备方法。本发明将掺杂的SiCx薄膜应用于高效太阳电池，通过控制SiCx膜层的掺杂类型及浓度，使p型硅片基体背面诱导形成背表面场，利用其优良的钝化特性以及诱导背场的作用来提高电池效率。

主权项

一种掺杂碳化硅薄膜诱导背场的双面钝化太阳电池，其特征在于：它包括：正面Ag电极（1）、SiNx或SiOx减反射钝化膜（2）、磷扩散层（3）、P型硅基体（4）、p型掺杂SiCx钝化膜（5）、背面Al电极（6）；所述P型硅基体（4）的前表面上有磷扩散层（3），磷扩散层（3）上覆有SiNx或SiOx减反射钝化膜（2），减反射钝化膜（2）上有正面Ag电极（1），正面Ag电极（1）底面与磷扩散层（3）接触；P型硅基体（4）的背面覆有p型掺杂SiCx钝化膜（5），p型掺杂SiCx钝化膜（5）开槽并制作背面Al电极（6），背面Al电极（6）在背面开槽处与P型硅基体（4）接触。