[发明专利]一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺

摘要

本发明涉及冶金法多晶硅提纯技术领域，特别是涉及一种湿法冶金提纯方法。本发明的提纯方法为：将颗粒度为100～200目的硅粉，进行磁选机磁选备用，通过预清洗、稀盐酸酸洗、稀氢氟酸酸洗、王水酸洗、稀氢氟酸和过氧化氢酸洗过程进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12-16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗多遍，直至水的pH值为中性，离心甩干、烘干、包装。使用本发明的提纯方法，通过优化硅粉颗粒、酸的浓度、浸泡时间和搅拌等条件，将冶金法多晶硅中的金属杂质总含量预先减低至100ppmw，可以获得4N纯度冶金硅的效果，并达到一种简便易行、成本低廉、可实现大规模生产的方法。

主权项

一种冶金法多晶硅金属杂质湿法冶金提纯工艺，其特征在于：将颗粒度为100～200目的硅粉，进行磁选机磁选备用，并分以下步骤进行提纯：a.预清洗：将上述硅粉用去离子水清洗4遍，在第二遍时适量加入一次表面活性剂；b.稀盐酸酸洗：用浓度为8％的稀盐酸进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12‑16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗3遍，离心甩干后使用800目滤布过滤；c.稀氢氟酸酸洗：用浓度为8％的稀氢氟酸进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12‑16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗3遍，甩干；d.王水酸洗：用浓度为盐酸36～38％、硝酸65～68％配制的王水进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12‑16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗3遍，离心甩干；e.稀氢氟酸和过氧化氢酸洗：用浓度25％的氢氟酸和2％过氧化氢进行酸洗，固液比为1∶3，浸泡12‑16小时，在浸泡中每隔1小时搅拌15min，后用去离子水漂洗多遍，直至水的PH值为中性，离心甩干、烘干、包装。