[发明专利]高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统有效
| 申请号： | 201110146470.5 | 申请日： | 2011-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN102810514A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李如东 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 孔凡红 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法和系统，涉及半导体芯片制作领域，用于降低高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作成本。本发明中，在硅片表面的热氧化层上形成淀积氧化层，硅片表面的热氧化层是对硅片完成P型阱工艺后形成的氧化层；对形成有淀积氧化层的硅片进行源漏区光刻处理；对源漏区光刻处理后的硅片进行蚀刻处理，蚀刻处理后硅片的漂移区表面留有热氧化层；向蚀刻处理后的硅片注入漂移区离子；向注入有漂移区离子的硅片注入源漏区离子。采用本发明，能够降低高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 金属 互补 氧化物 半导体 制作方法 系统 | ||
【主权项】：
一种高压金属栅互补金属氧化物半导体的制作方法，其特征在于，该方法包括：在硅片表面的热氧化层上形成淀积氧化层，硅片表面的热氧化层是对硅片完成P型阱工艺后形成的氧化层；对形成有淀积氧化层的硅片进行源漏区光刻处理；对源漏区光刻处理后的硅片进行蚀刻处理，蚀刻处理后硅片的漂移区表面留有热氧化层；向蚀刻处理后的硅片的漂移区进行离子注入；并向硅片的源漏区进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
