[发明专利]应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层无效
| 申请号： | 201110146553.4 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102214700A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 周帆;林华平;张良;蒋雪茵;张志林;张晓薇 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/314 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的新型阻挡层。本器件依次由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构。各结构层采用真空蒸发方法、磁控溅射方法和旋涂方法制备。本发明中，刻蚀阻挡层由苯酚-甲醛聚合物构成。采用该中刻蚀阻挡层，在氧化物薄膜晶体管阵列制备过程中，较好地保护了氧化物有源层，并使制备工艺大为简化，适用于大面积制备。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 氧化物 薄膜晶体管 阵列 湿法 刻蚀 阻挡 | ||
【主权项】：
一种应用于氧化物薄膜晶体管阵列湿法刻蚀的阻挡层，其特征在于该阻挡层由基板（1）、栅电极（2）、绝缘层（3）、氧化物有源层（4）、刻蚀阻挡层（5）、源漏电极（6）层叠构成。
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