[发明专利]单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件无效
| 申请号： | 201110147085.2 | 申请日： | 2011-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102800670A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 郑谦兴 | 申请（专利权）人： | 硕颉科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种单片式金属氧化半导体场效应晶体管-萧特基二极管元件，包括芯片、金属氧化半导体场效应晶体管、萧特基二极管以及终端结构。芯片分为晶体管区、二极管区与终端区。金属氧化半导体场效应晶体管设置于晶体管区上。萧特基二极管设置于二极管区上。终端结构设置于终端区，其中终端区分隔晶体管区与二极管区，且金属氧化半导体场效应晶体管与萧特基二极管共享终端结构。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 金属 氧化 半导体 场效应 晶体管 萧特基 二极管 元件 | ||
【主权项】：
一种单片式金属氧化半导体场效应晶体管‑萧特基二极管元件，包括：一芯片，分为一晶体管区、一二极管区与一终端区；一金属氧化半导体场效应晶体管，设置于该晶体管区上；一萧特基二极管，设置于该二极管区上；以及一终端结构，设置于该终端区，其中该终端区分隔该晶体管区与该二极管区，且该金属氧化半导体场效应晶体管与该萧特基二极管共享该终端结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
