[发明专利]一种光刻方法有效
| 申请号： | 201110147434.0 | 申请日： | 2011-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN102810464A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 赵志勇;杨兆宇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/306;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种光刻方法，包括：提供一半导体晶片，所述晶片表面包括掩蔽层，所述掩蔽层表面光滑；使所述晶片接触具有氧化作用的溶液，以使所述掩蔽层表面变粗糙；在所述晶片表面形成光刻胶层，进行光刻过程。本发明实施例所提供的光刻方法，通过在涂布光刻胶层之前，增加了湿法化学清洗的步骤，可以使原本光滑的掩蔽层表面变粗糙，从而使后续的涂布的光刻胶层与表面变粗糙后的掩蔽层之间的粘附力大大增强，从而使光刻胶层中尺寸较小的光刻胶区域能够紧固的附着在掩蔽层上，进而在很大程度上避免了光刻胶倒胶现象的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻方法，其特征在于，包括：提供一半导体晶片，所述晶片表面包括掩蔽层，所述掩蔽层表面光滑；使所述晶片接触具有氧化作用的溶液，以使所述掩蔽层表面变粗糙；在所述晶片表面形成光刻胶层，进行光刻过程。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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