[发明专利]用于晶片粗抛光的研磨组合物无效
| 申请号： | 201110147901.X | 申请日： | 2011-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102399496A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 吴威奇;李晏成 | 申请（专利权）人： | 台湾永光化学工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;洪燕 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于晶片粗抛光的研磨组合物，包括：(A)具有平均粒径为5纳米至150纳米的研磨粒子；(B)pH稳定剂，其pKa值介于9至10之间，且该pH稳定剂的含量占该研磨粒子的7wt％至28wt％；(C)研磨加速剂；以及(D)水。本发明研磨组合物能有效减少研磨粒子与抛光过程中的副产物胶化，且能在提升抛光速度的同时维持抛光质量稳定，提升抛光垫的性能及寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 晶片 抛光 研磨 组合 | ||
【主权项】：
一种用于晶片粗抛光的研磨组合物，包括：(A)具有平均粒径为5纳米至150纳米的研磨粒子；(B)pH稳定剂，其pKa值介于9至10之间，且该pH稳定剂的含量占该研磨粒子的7wt％至28wt％；(C)研磨加速剂；以及(D)水。
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