[发明专利]基于有机过程的无机薄膜太阳电池的制备方法无效
申请号: | 201110148221.X | 申请日: | 2011-06-03 |
公开(公告)号: | CN102810595A | 公开(公告)日: | 2012-12-05 |
发明(设计)人: | 徐文清;曲胜春;张君梦;谭付瑞;刘孔;王占国;屈盛 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种制备基于有机过程的无机薄膜太阳电池的方法。该方法采用微乳液法合成直径为10nm左右的碲化镉(CdTe)及硫化镉(CdS)纳米晶体、直径为5nm左右的氧化锌(ZnO)纳米晶体,通过旋涂纳米晶体“墨水”的方法得到CdTe/CdS平面异质结结构,该结构具有明显的光伏特性,可以用于作为太阳电池的有源层;旋涂ZnO纳米晶体“墨水”得到ZnO薄膜作为阴极缓冲层。通过该方法制备基于有机过程的无机薄膜太阳电池,降低了传统太阳电池较高的制作成本。本发明的重点在于避免了制备传统太阳电池所需要的高真空环境、以及复杂昂贵的设备,降低了太阳电池的制作成本。 | ||
搜索关键词: | 基于 有机 过程 无机 薄膜 太阳电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于有机过程的无机薄膜太阳电池的制备方法,它包括以下步骤:1):采用有机金属热分解法制备CdTe纳米晶体:将氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的混合物加热至澄清透明形成镉的前驱体,以三辛基膦及碲粉的混合物为碲的前驱体;将碲前驱体迅速注入镉前驱体中,反应得到CdTe纳米晶体。2):采用有机金属热分解法制备CdS纳米晶体:将氧化镉、油酸及三辛基氧化膦的混合物加热至澄清透明形成镉的前驱体,以三辛基膦及硫粉的混合物为硫的前驱体;将硫前驱体迅速注入镉前驱体中,反应得到CdS纳米晶体。3):制备ZnO纳米颗粒:将氢氧化钾的甲醇溶液逐滴加入至60℃的乙酸锌的甲醇溶液中,在不断搅拌下维持60℃反应生成氧化锌纳米颗粒。4):将步骤1)中得到的CdTe纳米晶体及CdS纳米晶体洗涤后,分别加入一定量吡啶在110℃下回流进行配体置换;然后再次洗涤后分散在吡啶中,得到CdTe、CdS纳米晶体“墨水”;将步骤2)中得到的ZnO纳米颗粒用甲醇洗涤后分散在正丁醇中,得到ZnO纳米晶体“墨水”。5):采用旋涂法将步骤3)中得到的CdTe、CdS纳米晶体“墨水”旋涂在涂有PEDOT:PSS的ITO玻璃上,依次得到CdTe、CdS薄膜;然后旋涂ZnO纳米晶体“墨水”得到ZnO薄膜。6):采用热蒸发的方法蒸镀铝电极,得到无机薄膜太阳电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的