[发明专利]一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法有效
| 申请号： | 201110148557.6 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102214571A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 陈建平 | 申请（专利权）人： | 江苏威斯特整流器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 212314 江苏省丹阳市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 被发明提供一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其主要工艺步骤如下：硅片清洗、三氯氧磷扩散、单面磨片、扩硼、套片、硅片蒸铝、钼元蒸金、烧结、芯片蒸金、合金、磨角、腐蚀、保护、电子辐照、退火。通过此生产方法，生产出体积小，元件的直径达到国内最小的(Φ48mm)，元件的厚度(结片0.2mm)，压降小而电流容量达7000A的快恢复整流二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电流 zk7000a 恢复 整流二极管 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种大电流(ZK7000A)快恢复整流二极管的生产方法，其特征在于：其工艺步骤如下：硅片清洗、三氯氧磷扩散、单面磨片、扩硼、套片、硅片蒸铝、钼元蒸金、烧结、芯片蒸金、合金、磨角、腐蚀、保护、电子辐照、退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
