[发明专利]带有热应力释放结构的键合晶圆及激光划片工艺有效

专利信息
申请号: 201110148611.7 申请日: 2011-06-03
公开(公告)号: CN102285624A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 吴学忠;肖定邦;陈志华;张旭;胡小平;侯占强;周泽龙 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00;B23K26/40;B23K26/42
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 43008 代理人: 赵洪;杨斌
地址: 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种带有热应力释放结构的键合晶圆,包括相互贴合的玻璃晶圆和硅片晶圆,键合晶圆的键合接触面附近开设有用于激光划片的热应力释放结构,热应力释放结构沿拟定的激光划片轨迹对应设置;本发明的键合晶圆的应力释放结构可防止划片轨迹附近原来键合的区域裂开,可提高键合晶圆的激光划片成品率,降低划片成本;本发明还公开了一种激光划片工艺,包括加工热应力释放结构、键合晶圆和激光划片加工等工艺步骤;本发明的激光划片工艺,能有效释放激光划片过程中的热应力,从而抑制键合接触面的热致裂痕,使键合接触面的力学性能得到大幅提高,有利于MEMS芯片性能的提升,同时工艺简单成熟,能够保证较低的成本和较高的成品率。
搜索关键词: 带有 应力 释放 结构 键合晶圆 激光 划片 工艺
【主权项】:
一种带有热应力释放结构的键合晶圆,包括相互贴合的玻璃晶圆和硅片晶圆,其特征在于:所述键合晶圆的键合接触面附近开设有用于激光划片的热应力释放结构,所述热应力释放结构沿拟定的激光划片轨迹对应设置。
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