[发明专利]一种锑掺杂二氧化锡包覆透明片状芯材的导电粉的制备方法

摘要

本发明涉及一种锑掺杂二氧化锡包覆透明片状芯材的导电粉的制备方法，属于化工领域。本发明通过对片状材料表面进行Sb/Sn氧化物的混合包覆，使Sb掺杂到SnO2晶格中，使包覆层成为P型半导体而具有较低的电阻率，由于半导体层在片状材料的表面，从而增大了导电材料的比表面积，减少了半导体材料的用量。再通过对制得的粉体表面进行有机化改性，使得其在有机体系中能发挥优越的结合力及导电性能。

主权项

一种锑掺杂二氧化锡包覆透明片状芯材的导电粉的制备方法，其制备的步骤是：a、称取平均粒径1～100μm的透明片状基材45～65重量份置于反应器中，再向反应器中加入相当于基材粉体重量5～15倍的去离子水，搅匀；b、然后加入无机酸调节pH值至1.0～5.0，控制温度30～70℃，制成芯材水悬浮液；c、将60～100重量份的SnCl4·5H2O和3～10重量份的SbCl3置于容器中，加入浓度为32%的盐酸使之溶解，再用去离子水稀释至SnCl4·5H2O和 SbCl3的总质量浓度为200～400g/L的溶液，制成锡锑混合液；d、将锡锑混合液匀速泵入芯材水悬浮液中，控制搅拌速度300～600转/分钟，维持反应温度在30～70℃，并用碱液维持pH值在1.0～5.0间，持续搅拌1小时以使其反应彻底，得到母液；e、将母液真空抽虑，用去离子水将滤饼冲洗5～10次后压实；f、将压实后的滤饼于80～150℃烘干，得到粉体，再将干燥后的粉体进行煅烧；g、将煅烧后的粉体冷却至室温，然后将其重新分散于去离子水中，升温至40～80℃，转速200～500转/分钟，调节pH值至3.0～10.0，然后倒入相当于粉体重量0.1～3.0%的表面修饰剂，保温搅拌10～60分钟，得到导电粉浆料；h、将导电粉浆料过滤，冲洗1～3次，于烘箱中90～120℃烘干，得到松散的锑掺杂二氧化锡包覆透明片状芯材的导电粉。