[发明专利]一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法

摘要

本发明涉及一种制备Sn-Ag-In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在芯片基板上电镀三元无铅焊料。首先以硅片为基底，热氧化形成二氧化硅绝缘层后正面溅射铝导电层，沉积二氧化硅钝化层，光刻并干法腐蚀钝化层开口，之后在基板上溅射金属种子层，涂覆厚光刻胶并光刻电镀窗口，然后分两步分别电镀锡银和铟，电镀完成后去除厚光刻胶和多余的种子层，回流焊料形成凸点。本发明充分利用了电镀法制备凸点所具备的凸点一致性好、凸点尺寸和节距小、凸点产量高、成本低等优点，克服了电镀法在三元合金上的局限性，并为电镀法制备Sn-Ag-In三元高密度微小尺寸无铅凸点奠定了基础。

主权项

一种制备Sn‑Ag‑In三元无铅倒装凸点的方法，其特征在于采用分步电镀法在基板上电镀三元无铅焊料，分为两大步：A.采用IC工艺制备基板：首先将硅片进行热氧化处理形成一层SiO2，随后正面溅射Al金属导电层，光刻腐蚀形成铝焊盘，之后利用PECVD再沉积一层SiO2钝化层，并光刻、干法腐蚀出钝化层开口，露出吕焊盘；之后溅射TiW/Cu分别作为粘附层和电镀种子层；B.在所属的基板上制作凸点：在步骤A制作的基板上接着进行厚胶光刻，并光刻出电镀窗口，然后依次电镀Cu、Sn‑Ag和In焊料，电镀完毕后由湿法腐蚀方法去除厚胶和多余的种子层金属，最后回流焊料形成凸点。