[发明专利]一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201110149897.0 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN102637631A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 刘宸;王学岚;杨久霞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;孟桂超 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD阵列基板的制造方法，该方法包括：步骤a，通过第一次构图工艺在基板上形成栅线及栅电极；步骤b，通过第二次构图工艺形成数据线、绝缘层、有源层、源电极、漏电极、TFT的沟道，并在第一钝化层形成过孔；步骤c，通过第三次构图工艺形成像素电极；步骤d，通过第四次构图工艺形成第二钝化层及有间隔的公共电极。本发明同时公开了一种TFT-LCD阵列基板，采用本发明的方法及阵列基板，能减少生产设备的投入，进而能减少生产成本；同时，还能减少生产时间，进而提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 液晶显示器 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管液晶显示器TFT‑LCD阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：步骤a，通过第一次构图工艺在基板上形成栅线及栅电极；步骤b，通过第二次构图工艺形成数据线、绝缘层、有源层、源电极、漏电极、TFT的沟道，并在第一钝化层形成过孔；步骤c，通过第三次构图工艺形成像素电极；步骤d，通过第四次构图工艺形成第二钝化层及有间隔的公共电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
